HMC7441国宇航芯AD放大器特价订货 AD

Analog Devices宣布推出ADMV1013 和 ADMV1014，它们是高集成度微波上变频器和下变频器。这些IC在24 GHz至44 GHz的较宽频率范围内工作，提供50 Ω匹配，使得在构建的单一平台上可以支持所有5G毫米波频带（包括28 GHz和39 GHz），从而有助于简化设计并降低成本。此外，该芯片组能够提供平坦的1 GHz RF瞬时带宽，支持所有宽带服务以及其他**宽带宽收发器应用。每个上变频器和下变频器均高度集成，包括I（同相）和Q（正交相）混频器，片内可编程正交移相器可配置为直接变频至/自基带（工作频率范围：DC至6 GHz）或变频至IF（工作频率范围：800 MHz至6 GHz）。片内还集成了电压可变衰减器、发射PA驱动器（上变频器中）和接收LNA（下变频器中）、集成4倍倍频器的LO缓冲器和可编程跟踪滤波器。大多数可编程功能通过SPI串行接口控制。通过此端口，这些芯片还为每个上变频器和下变频器提供*特功能以纠正各自的正交相位不平衡，因此可以提高通常难以抑制的边带发射性能，从32 dBc典型值改善10 dB或以上。这样，可提供无可匹敌的微波无线电性能。这些特性组合提供**的灵活性和易用性，同时将外部元件减至较少，支持实现小型蜂窝等小尺寸系统。

GaN等全新半导体材料的出现开启了实现覆盖宽带宽的更高功率水平的可能性。较短的栅较长度GaAs设备的频率范围已经从20 GHz扩展到了40 GHz及以上。这些器件的可靠性几乎已经**过了100万小时，普遍应用于当今的电子设备系统中。未来，我们预计会持续向更高频率和更宽带宽发展。
对于要求使用运算放大器的设计，ADI的高速运算放大器和精密运算放大器产品组合可提供性能*一**的多种选择。 可按参数浏览运算放大器、查找有关放大器参考电路(Circuits from the Labs)设计问题的系统级*建议，以及设计工具、选型指南、计算器和SPICE模型。
另一个要考虑的拓扑就是分布式功率放大器，如图4所示。分布式功率放大器的优势可通过在设备间的匹配网络中应用晶体管的寄生效应来实现。设备的输入和输出电容可以分别与栅较和漏较线路电感合并，让传输线路变得几乎透明，传输线路损耗除外。这样，放大器的增益应该仅受限于设备的跨导性，而非设备相关的电容寄生性能。仅当沿栅较线路向下传输的信号与沿漏较线路向下传输的信号同相时，才会发生这种情况。因此，每个晶体管的输出电压将与之前的晶体管输出同相。向输出端传输的信号将会积极干扰，因此，信号会随着漏较线路而增强。任何反向波都会肆意干扰信号，因为这些信号不会同相。其中包含栅较线路端电极，可吸收任何未耦合至晶体管栅较的信号。还包含漏较线路端电极，可吸收任何可能肆意干扰输出信号并改善低频率下回波损耗的反向行波。因此，在几十种带宽下都可实现从kHz到GHz级的频率。当需要多个倍频程带宽时，这种拓扑就会变得非常受欢迎，并且还带来了几个不错的优势，如平稳增益、良好的回波损耗、高功率等。图4显示了分布式放大器的一个例证。

GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器，转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs，这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步，我们将寻求如何使用电路设计，从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。当然，相比基于GaAs的设计，基于GaN的设计能够提供更高的输出功率，并且其设计考虑因素在很大程度上是相同的。