Analog Devices MMIC-based GaN and GaAs power amplifiers cover the low hundred MHz frequency range up through and including components in the W band (75 GHz to 110 GHz). In addition to components, our portfolio also includes GaN-based power amplifier modules with output power exceeding 8 kW. Designed for excellent linearity at high output power, our power amplifiers maintain good heat dissipation and high reliability at elevated temperatures for the wide variety of wired and wireless applications that they are used in.
许多无线电子系统都可覆盖很宽的频率范围。在军事工业中,雷达频段可覆盖从几百MHz到GHz级频率。一些电子战和电子对抗系统需要在较宽的带宽下工作。各种不同频率,如MHz至20 GHz,甚至包括更高的频率,现在都面临着挑战。随着越来越多电子设备支持更高频率,对更高频率电子战系统的需求将会出现井喷。在电信行业,基站的工作频率为450 MHz至3.5 GHz左右,并且随着更高带宽的需求增长而持续增加。卫星通信系统的工作频率主要为C-波段至Ka-波段。用于测量这些不同电子设备的仪器仪表需要能在所有这些必要的频率下工作,才能得到国际认可。因此,系统工程师需要努力尝试设计一些能够覆盖整个频率范围的电子设备。想到可以使用单个信号链覆盖整个频率范围,大多数系统工程师和采购人员都会非常兴奋。用单个信号链覆盖整个频率范围将会带来许多优势,其中包括简化设计、加速上市时间、减少要管理的器件库存等。单信号链方案的挑战始终绕不开宽带解决方案相对窄带解决方案的性能衰减。挑战的核心在于功率放大器,对于窄带宽其具有*的功率和效率性能。
我们再来了解一下基于GaN技术可以做些什么。ADI公司推出了一款标准产品HMC8205BF10,它基于GaN技术,具有高功率、高效率 和宽带宽。该产品的工作电源电压为50 V,在35%的典型频率下可提供35 W RF功率,带20 dB左右的功率增益,覆盖几十种带宽。这种情况下,相比类似的GaAs方案,我们只需要一个IC就能提供高出约10倍的功率。在过去数年,这可能需要复杂的GaAs芯片组合方案,并且无法实现相同的效率。该产品展示了使用GaN技术的各种可能性,包括覆盖宽带宽,提供高功率和高效率,如图6所示。这还展现了高功率电子设备封装技术的发展历程,因为这个采用法兰封装的器件能够支持许多军事应用所需的连续波(CW)信号。
GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器,转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs,这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步,我们将寻求如何使用电路设计,从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。当然,相比基于GaAs的设计,基于GaN的设计能够提供更高的输出功率,并且其设计考虑因素在很大程度上是相同的。
对于要求使用运算放大器的设计,ADI的高速运算放大器和精密运算放大器产品组合可提供性能*一**的多种选择。 可按参数浏览运算放大器、查找有关放大器参考电路(Circuits from the Labs)设计问题的系统级*建议,以及设计工具、选型指南、计算器和SPICE模型。