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来自Comtech PST的BPC318358-13000是一个氮化镓固态功率放大器，工作频率从3100到3500兆赫。这种AB级线性放大器提供13000瓦的峰值输出功率，增益**过71分贝。它的脉冲宽度为2到200微秒，占空比为10%。放大器需要208伏的交流电源，这是一个固态放大器，通常是基于行波管技术。它的尺寸为24.0 x 25.5 x 24.0英寸，重230磅，设计在模块化外壳中，带有可拆卸模块，可简化维护和升级操作。放大器可以通过以太网10/100Base-T接口进行控制。它是地面系统和实验室应用的理想选择。

来自integra的igt5259cw50是一种C波段GaN-on-SiC功率晶体管，工作频率为5.2至5.9GHz。它提供**过50瓦的输出连续波功率，增益11.6分贝，效率高达50%。这个晶体管需要28伏的电源。它有一个金属基法兰表面安装包，输入和输出端口匹配50欧姆。这种晶体管是C波段雷达系统应用的理想选择。

来自出埃及记的AMP2136-2-4-8KP是一个固态高功率脉冲放大器，工作频率为2到4GHz。这种AB级线性氮化镓放大器在10%的占空比下提供高达8千瓦的峰值输出功率，增益**过69分贝。它可以安装在机架上（2 x 4千瓦脉冲抽屉机架集成），带有N型和716（F）连接器。该放大器设计用于实验室脉冲/HIRF MIL Std 461/464测试应用，具有内置控制、监控和保护电路。它可以根据所实现的配置产生不同的功率级别。该设计提供了良好的带平坦度，可靠的鲁棒性能和出色的脉冲保真度。
Transphorm公司是高压（HV）GaN半导体的**者，已成为美国*部和商业射频/毫米波和电力电子应用领域GaN外延片的**生产源和供应商。美国*部（DoD）海军研究办公室（ONR）已就与该公司现有的260万美元基础合**使了3年期1590万美元的期权。该项目的核心目标是将氮极性（N极性）氮化镓商业化，这是一项追赶现有的较地氮化镓的突破性技术。N极性氮化镓对氮化镓电子技术的持续发展，在当今的射频电子技术和未来的功率转换系统中具有重要的前景。这项技术是在加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）ONR和DARPA的赞助下，由UCSB**教授、Transphorm联合创始人、CTO和**Umesh Mishra教授组成的团队发明的，专门授权给Transphorm。
Qorvo的QPA2210D是一个Ka波段功率放大器，工作频率为27至31GHz。它提供7 W的饱和输出功率，功率增加效率为32%。该功率放大器的线性功率为2.5W，具有-25dBc互调失真产品和25dB的小信号增益。它是在Qorvo的0.15um Gan-on-SiC工艺（QGan15）上制造的。本PA是一种尺寸为2.74 x 1.432 x 0.050 mm的模具，非常适合支持卫星通信和5G基础设施。

Qorvo的QPA1022是一款基于GaN的SiC宽带功率放大器，工作频率为8.5至11GHz。它提供**过4瓦的饱和输出功率，24.5分贝的功率增益和**过10分贝的回波损耗。该放大器需要22伏电源，与射频输出和直流接地输入端口的集成直流阻断电容器匹配为50欧姆。该放大器采用4 x 4 x 0.85 mm QFN封装，适用于相控阵雷达和电子战应用。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。
Wolfspeed公司的CGHV37400F是一种GaN-on-SiC Hemt晶体管，工作频率为3.3至3.7GHz。输出功率525W，功率增益11.5dB，漏较效率55%。晶体管需要48伏的电源电压，并且在输入和输出端匹配50欧姆。晶体管采用金属/陶瓷法兰封装，是S波段雷达放大器应用的理想选择。
来自Triad射频的TA1120是一种电路卡放大器，设计用于集成到现有的CubeSat和NanoSat卫星系统中。这种AB-GaN级放大器在380到470之间工作，同时提供高达4瓦的输出功率，以确保在低地球轨道（LEO）运行时进行适当的通信。它需要9到14伏的电源，并且具有足够的通用性，能够在一系列可用的电压总线上运行在立方体卫星的底盘上发现的。这种尺寸为2.7 x 1.3 x 0.339英寸的轻型放大器配有MMCX边缘射频连接器，是军事和商业应用的理想选择。TA1120设计用于集成到现有的CubeSat和NanoSat卫星系统中，并与大多数**高频TR兼容。发言者。该放大器能够支持任何信号类型和调制格式，包括3-4G电信、WLAN、OFDM、DVB和CW/AM/FM。

Cree和OnSemiconductor已经签署了一项多年协议，其中Cree将生产并向OnSemiconductor供应Wolfspeed碳化硅晶圆，OnSemiconductor是一家**半导体**者，为电子应用领域的客户提供服务。该协议价值**过8500万美元，提供了Cree先进的150毫米碳化硅（SiC）裸片和外延片到半导体上，用于电动汽车和工业应用等高增长市场。