PTVA084007NF-V1-R5国宇航芯 cree代理

CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，高效率放大器在一个小封装在50欧姆。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供较佳的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得较佳的电气和热性能。特征：输入匹配，用于500–3000兆赫的瞬时操作最小功率70 W（CW）80 W（CW）典型Pout16分贝典型小信号增益28 V操作在85°C外壳温度下，100 W（CW）使用2x CG2H30070F的应用电路可用。
Wolfspeed 是碳化硅肖特基二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管分立原件以及模塊的先驅公司；另外，我們的門極驅動板也使得我們的客戶能非常方便的使用我們的產品。這些代表業界较先進的產品使電源變換系統能夠提高開關頻率，縮小體積重量的同時提高轉換效率。

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CRE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征：额定功率=120 W@tcase=85° TCase=85°C时，排水效率=62%瞬态100μsec–300μsec@20%占空比内部预匹配输入，不匹配输出。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Wolfspeed 金屬氧化物半導體場效應晶體管使開關頻率更高，並且縮小了像電感器、電容器、篩選器、變壓器這樣的組件的尺寸。我們的碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管可取代硅器件，有更高的阻斷電壓（>1700V），雪崩額定值>1800V，開關和傳導損耗也較低。我們在五年前製造了首個碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管，並且自那時起一直都在不斷完善這項技術。

Wolfspeed的CMPA060002F是基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该MMIC采用了分布式（行波）放大器设计方法，能够在具有铜钨散热片的小型压下封装中实现非常宽的带宽。
Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅较长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有**的高频、高效功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。