EP4SGX360FH29C2XN国宇航芯ALTERA订货

TI公司的ucc21750是设计用于1700V SiC MOSFET和IGBT单路隔离的栅较驱动器,具有先进的保护特性,业界*好的动态性能和鲁棒性以及高达±10-A峰值源电流和沉电流.输入和输出的隔离采用SiO2电容隔离技术,支持高达1.5-kVRMS工作电压,2.8-kVPK抗浪涌和大于40年的隔离寿命,以及部件和部件间低差别和>150V/ns的共模噪音抑制(CMTI).
UCC21750包括*新的保护特性如快速过流和短路检测,支持并联电流检测,故障报告,有源米勒钳位,输入和输出边电源UVLO,以优化SiC和IGBT开关性能和鲁棒性. M传感器的隔离模拟能用来温度或电压检测,进一步增加了驱动器的多样功能,从而简化了系统摄,尺寸和成本.工作温度–40°C 到125°C,主要用EV的牵引逆变器,板上充电器和DC充电站,工业马达驱动,服务器,通信和工业电源以及不间断电源(UPS).本文介绍了UCC21750主要特性,功能框图,典型应用电路图以及评估模块UCC21732QDWEVM-025主要特性,电指标,框图,电路图和各种测试建立图,材料清单和PCB设计图.
The UCC21750 is a galvanic isolated single channelgate drivers designed for up to 1700V SiC MOSFETsand IGBTs with advanced protection features, bestin-class dynamic performance and robustness.UCC21750 has up to ±10-A peak source and sinkcurrent.
The input side is isolated from the output side withSiO2 capacitive isolation technology, supporting up to1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunitywith longer than 40 years Isolation barrier life, as wellas providing low part-to-part skew, >150V/nscommon mode noise immunity (CMTI).
The UCC21750 includes the state-of-art protectionfeatures, such as fast overcurrent and short circuitdetection, shunt current sensing support, faultreporting, active miller clamp, input and output sidepower supply UVLO to optimize SiC and IGBTswitching behavior and robustness. The isolated****og to PWM sensor can be utilized for easiertemperature or voltage sensing, further increasing thedrivers’versatility and simplifying the system designeffort, size and cost.
由于半导体发展技术的突破、元件尺寸逐渐微缩之际，驱使HPC芯片封装发展必须考量封装所需之体积与芯片效能的提升，因此对HPC芯片封装技术的未来发展趋势，除了现有的扇出型晶圆级封装(FOWLP)与2.5D封装外，将朝向技术难度更高的3D封装技术为开发目标。
针对HPC芯片封装技术，台积电已在2019年6月于日本VLSI技术及电路研讨会(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)中，提出新型态SoIC(System on Integrated Chips)之3D封装技术论文；透过微缩凸块(Bumping)密度，提升CPU/GPU处理器与存储器间整体运算速度。

Wolfspeed’s CMP801B025D is a gallium-nitride (GaN) HEMT-based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. This MMIC contains a two-stage reactively matched amplifier design approach enabling very wide bandwidths to be achieved.
当前在AC/DC应用中，电源转换效率和节能性能的提高变得越来越重要，满负载效率在AC/DC电源设计中一直是一项主要考虑因素。现在我们*关心的是，如何在轻负载和空负载时实现更好的节能性能，因为越来越多的电源适配器在待机模式下由电网进行供电。由于在**此类适配器的数量增长迅速，因此大家正在开发新的节能标准。
这些新标准概括了对电源的要求，以在不同的工作模式下进行更好的能源利用。为了符合这些新的节能要求，准谐振控制和谷值电压开关(Valley-Voltage Switching)等技术，以及包括跳脉冲(pulse-skipping)在内的多模式工作模式越来越受到行业的关注。其高效性证明了这些技术可以实现AC/DC转换器从空负载到满负载模式优化的效率提高和功耗降低。越来越多的绿色模式IC采用了这些技术以控制不同拓扑结构的转换器。
降低待机功耗
当前越来越多的AC/DC电源转换器具有取代真实物理电源开关的待机模式。也就是说，在它们的主要功能不工作的时候，电气设备仍存在功耗。*常见的待机功耗出现于诸如使用遥控的电视机和视频设备、无绳电话和无线路由器等具有外部低压电源的电子设备、复印机和打印机等办公设备，以及用于膝上型电脑的电池充电器等设备的应用。待机模式下单个转换器的实际功耗很小，通常是0.3到20W。然而，待机功耗每时每刻都在发生，且此类设备数量众多，因此**范围内的待机功耗是以指数级快速上升的。若将所有功耗汇总起来，则这些很低的功耗数值将相当可观。据估计，在欧盟待机功耗已经占了家庭和办公用电量的10%，在美国大约占总用电量的4%。
为了降低待机功耗并提高整体负载范围，国际上正在制订新的标准。其中，美国环保总署(EPA)的“能源之星”是国际认可度*高的标准之一。能源之星包含了广泛的不断完善的标准，以实现在空负载和轻负载条件下的节能，在标准工作模式下更高的效率，更少的总谐波失真(THD)以及一致的单位功率因数(PF)。表1就是正在制定的这些标准的其中一个例子，显示了单一电压外部AC/DC和AC/AC电源的能源之星标准。

所谓的3D封装技术，主要为求再次提升AI之HPC芯片的运算速度及能力，试图将HBM高频宽存储器与CPU/GPU/FPGA/NPU处理器彼此整合，并藉由高端TSV(硅穿孔)技术，同时将两者垂直叠合于一起，减小彼此的传输路径、加速处理与运算速度，提高整体HPC芯片的工作效率。