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目前3D封装技术已对外公告的新成果，现阶段除了半导体代工制造**台积电积极，已宣布预计于2020年导入量产SoIC和WoW(Wafer on Wafer)等3D封装技术外，另有IDM大厂Intel也提出Foveros之3D封装概念，将于2019下半年迎战后续处理器与HPC芯片之封装市场。
凭借5G基础建设发展，基地台相关设备中的功率放大器(Power Amplifier，PA)逐渐受到关注。由于基地台讯号传递距离及使用功率考量，相较于手机使用的PA元件(GaAs pHEMT)有所不同，基地台PA元件更需转换为可使用在更高频、大功率之GaN HEMT元件为主，藉此提升基地台设备之效能与耐用度。
砷化镓(GaAs)及氮化镓(GaN)晶圆代工**稳懋公告2019年*二季营收情形，营收金额来到1.41亿美元。*二季营收相较于季成长20.2%，而年增(减)率情形持续受到中美贸易摩擦影响，小幅衰退6.9%；然而该事件影响幅度已有逐渐趋缓迹象，预估2019年*三季营收可望优于*二季表现，对比*二季营收**会再成长30%左右。
在今天上午召开的*五届“华为亚太创新日”上，华为公司董事、战略研究院院长徐文伟表示，华为在**范围内已获得50多个5G商用合同，发货20多万个5G基站，接近三分之二的5G基站是由华为建设的。
再以整体营收来看，可发现随着时间季度推进，稳懋基地台设备产值更有逐季提升趋势，甚至2019年*二季已达到高点4千1百万美元，推升该季营收表现，因此虽受中美贸易战影响，但现阶段5G通讯设备发展与布局仍持续进行中，对于稳懋GaN元件于基地台设备的使用与建置上，其营收方面将逐渐摆脱中美摩擦阴霾。

针对HPC芯片封装技术，台积电已在2019年6月于日本VLSI技术及电路研讨会(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)中，提出新型态SoIC(System on Integrated Chips)之3D封装技术论文；透过微缩凸块(Bumping)密度，提升CPU/GPU处理器与存储器间整体运算速度。

由于半导体发展技术的突破、元件尺寸逐渐微缩之际，驱使HPC芯片封装发展必须考量封装所需之体积与芯片效能的提升，因此对HPC芯片封装技术的未来发展趋势，除了现有的扇出型晶圆级封装(FOWLP)与2.5D封装外，将朝向技术难度更高的3D封装技术为开发目标。

由于受到中美贸易战拖累影响，砷化镓及氮化镓晶圆代工**大厂稳懋营收自2018年*三季开始明显遭遇到波及，相较2017年同期逐步出现衰退9.2%，甚至2018年*四季及2019年季相比于同期，下滑幅度更为显著，分别为-25.8%与-23.3%。

所谓的3D封装技术，主要为求再次提升AI之HPC芯片的运算速度及能力，试图将HBM高频宽存储器与CPU/GPU/FPGA/NPU处理器彼此整合，并藉由高端TSV(硅穿孔)技术，同时将两者垂直叠合于一起，减小彼此的传输路径、加速处理与运算速度，提高整体HPC芯片的工作效率。
Wolfspeed’s CMP801B025D is a gallium-nitride (GaN) HEMT-based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. This MMIC contains a two-stage reactively matched amplifier design approach enabling very wide bandwidths to be achieved.