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SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC适合高压领域，GaN更适用于低压及高频领域。SiC是*三代半导体材料的代表。以硅而言，目前SiMOSFET应用多在1000V以下，约在600~900V之间，若**过1000V，其芯片尺寸会很大，切换损耗、寄生电容也会上升。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC功率器件的损耗是Si器件的50%左右。SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。

观察前**晶圆代工业者*二季表现，仅有华虹半导体受惠于Smart Card、IoT、Automotive的MCU和功率器件等市场需求较为稳定，因而营收与去年同期持平，其余业者皆因市场需求不济、库存尚待消化等原因，*二季营收表现较去年同期下滑约8%。其中值得关注的是市占率近半的台积电，受惠于7nm为主的先进制程客户需求拉升，其*二季的年衰退幅度相对于其他业者来的较小。然而受华为事件影响，台积电7nm很难维持其在旗舰手机处理器市场的市占率，这又将进一步影响**晶圆代工产业2019下半年的表现。三星则凭借完整的产业链和**渠道布局，将是华为事件潜在的较大受益者。

800V BCM4414 是一款 1.6KW 隔离式、1/16 固定比率母线转换器模块 （BCM®），其可在 500V 至 800V 的输入电压下平稳工作，提供 SELV 输出电压，峰值效率达 97%。较新 800V 模块是 Vicor 现有 700V BCM4414 的有力补充，可创建一系列具有更强隔离性 （4，242VDC） 及双向电压转换功能的产品。该 BCM 可轻松并联为功率更高的阵列，而 SELV 输出则可进行堆栈（串联），实现更高的输出电压。这两款 BCM 均采用 111 x 36 x 9.3 毫米 VIA™（Vicor 集成型适配器）封装，集成 PMBus™ 通信、EMI 滤波及电压瞬态保护功能。VIA 的平面外形封装可简化热管理，能够与各种不同的散热技术轻松对接。