我们将了解ADI公司基于GaAs的分布式功率放大器产品HMC994A,工作频率范围为直流至30 GHz。该器件非常有意思,因为它覆盖了几十种带宽、许多不同应用,并且可实现高功率和效率。其性能如图5所示。在这里,我们看到它是覆盖MHz至30 GHz、功率附加效率(PAE)典型值为25%的饱和输出功率大于1瓦的器件。这款产品还拥有标准值为38 dBm的强大的三阶交调截点(TOI)性能。结果显示,利用基于GaAs的设计,我们能够实现接近于许多窄带功率放大器设计的效率。HMC994A拥有正向频率增益斜率、高PAE宽带功率性能和强大的回波损耗,是一款非常有趣的产品。
我们再来了解一下基于GaN技术可以做些什么。ADI公司推出了一款标准产品HMC8205BF10,它基于GaN技术,具有高功率、高效率 和宽带宽。该产品的工作电源电压为50 V,在35%的典型频率下可提供35 W RF功率,带20 dB左右的功率增益,覆盖几十种带宽。这种情况下,相比类似的GaAs方案,我们只需要一个IC就能提供高出约10倍的功率。在过去数年,这可能需要复杂的GaAs芯片组合方案,并且无法实现相同的效率。该产品展示了使用GaN技术的各种可能性,包括覆盖宽带宽,提供高功率和高效率,如图6所示。这还展现了高功率电子设备封装技术的发展历程,因为这个采用法兰封装的器件能够支持许多军事应用所需的连续波(CW)信号。
Analog Devices MMIC-based GaN and GaAs power amplifiers cover the low hundred MHz frequency range up through and including components in the W band (75 GHz to 110 GHz). In addition to components, our portfolio also includes GaN-based power amplifier modules with output power exceeding 8 kW. Designed for excellent linearity at high output power, our power amplifiers maintain good heat dissipation and high reliability at elevated temperatures for the wide variety of wired and wireless applications that they are used in.