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TGA2590-CP的中英文资料订货请联系黄
Qorvo's TGA2590-CP is a wideband MMIC power amplifier fabricated on Qorvo's production 0.25um GaN on SiC process. The TGA2590-CP operates from 6-12GHz and provides 30W of saturated output power with >22dB of large ** gain and >30% power-added efficiency.
The TGA2590-CP is offered in a Cu-base package that can either be bolted down or eutectically attached for superior thermal management.
The TGA2590-CP is fully matched to 50 ohm with DC blocking caps at both RF ports allowing for simple system integration. The broadband performance supports both electronic wafers and radar opportunities across defense and commercial markets.
Lead-free and RoHS compliant.
Evaluation boards are available upon request.
QoVo公司的TGA2590-CP是一种宽带MMIC功率放大器，是在QoVo公司生产的0.25M氮化镓碳化硅工艺上制造的。TGA2590-CP工作在6～12GHz，提供30W的饱和输出功率，大信号增益＞22dB，功率附加效率＞30%。
该TGA2590-CP是提供在一个Cu基封装，可以螺栓或共晶连接优越的热管理。
TGA2590-CP完全匹配到50欧姆与DC阻塞帽在两个RF端口，允许简单的系统集成。宽带性能支持在*和商业市场上的电子晶片和雷达机会。
无铅和符合RoHS标准。
评估板可根据要求提供。
TGA2590-CP的特征
Key Features
Frequency range: 6 to 12 GHz
POUT: > 45 dBm (PIN = 23 dBm)
PAE: > 30 % (PIN = 23 dBm)
Small ** gain: 35 dB
Bias: VD = 20 V (CW), IDQ = 2 A, VG = -2.4 V typ.
Package dimensions: 15.24 x 15.24 x 3.5 mm

5962R8773901VCA的中英文资料
PM139有四个独立的电压比较器,精密直流规格。低偏移电压、偏置电流、功率消耗和输出饱和电压提供单电源操作的设计特性。输入电压范围包括地面为单一供应方便操作。马2电源电流,独立于电源电压,再加上单一供应操作,使得这个比较适合低功耗应用程序。集电极开路输出允许应用程序的灵活性。
5962R8773901VCA的特征
单或双供应操作
　　输入电压范围包括地面
　　低功耗
　　低输入偏置电流
　　低输入偏置电流
　　低偏置电压
　　低饱和输出电压
　　发射较耦合逻辑,逻辑输出与TTL兼容,迪泰金属氧化物半导体和CMOS

CIEE的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率。基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括击穿电压越高，饱和电子漂移速度越高热导率。GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的功率密度。与Si和GaAs晶体管相比的带宽。此MMIC可供使用。10引线金属/陶瓷法兰封装（CMPA801B025F）或小形状因数药丸包装（CMPA801B025P），以获得的电性能和热性能。